无锡光久激光智能科技有限公司

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半导体激光器内部结构及原理

    半导体激光器的工作物质有砷化钾(gaas),砷化铟(inas),锑化铟(insn),铝化镓(gaalas)等,输出波长大都在可见光的长波到近红外之间,医用短的有650nm(常用作瞄准光),常见的波长有810nm,980nm等,不同种类的半导体激光器输出功率差别较大:双异质结条形激光器连续输出功率为数百毫瓦,脉冲输出可达几十瓦;激光列阵器件连续输出功率可达百瓦级,脉冲输出达千瓦级;可调谐激光器连续输出功率为零点几毫瓦,脉冲峰值功率可达几十瓦。

 较常用的810nm半导体激光器功率为0.5~25~60w,治疗模式为0.1~9.9s单脉冲、重复脉冲及连续输出,采用400、600、1000nm接触式及非接触式光纤和探头传输,汽化效果较1064nm快三倍,同时兼具良好的止血效果,术中术后出血少,术中光束对神经和组织没有电刺激,产生烟雾少,病人损失少,出血少,疼痛轻,愈合快,并发症少,住院时间短,另外配以多种内径的光纤可方便与任何一种匹配,在开放手术中也可灵活应用。  半导体激光器电光转换率高(30%),没有多余的热量产生,从而避免了传统灯泵浦激光和气体激光器所需的庞大水冷系统,因此体积精巧,重量轻。同时,它也没有传统激光的闪光灯、晶体棒等高压、高热易损元件,因而寿命较长,一般半导体芯片的寿命可达100万小时,具有操作方便,机动灵活,耗电少,效率高等优点。由于半导体激光器的谐振腔短,所以产生激光的方向性较差,发散角较大。此外,因其能极复杂,所以产生激光的谱线较宽,单色性较差。